Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
IPP139N08N3 G
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPP139N08N3 G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 80V 45A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 45A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventář:
Poptejte online
12823116
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPP139N08N3 G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
-
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
80 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
45A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
6V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
13.9mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 33µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1730 pF @ 40 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
79W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
IPP139N
Technický list a dokumenty
Technické listy
IPP139N08N3 G
HTML Datový list
IPP139N08N3 G-DG
Další informace
Standardní balíček
500
Další jména
IPP139N08N3 G-DG
IPP139N08N3G
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
PSMN012-80PS,127
VÝROBCE
Nexperia USA Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
4860
DiGi ČÍSLO DÍLU
PSMN012-80PS,127-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.87
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
HUF75542P3
VÝROBCE
Fairchild Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1690
DiGi ČÍSLO DÍLU
HUF75542P3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.58
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
FDP16AN08A0
VÝROBCE
Fairchild Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
3500
DiGi ČÍSLO DÍLU
FDP16AN08A0-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.86
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
PSMN017-80PS,127
VÝROBCE
Nexperia USA Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
5950
DiGi ČÍSLO DÍLU
PSMN017-80PS,127-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.70
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
STP75NF75
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1998
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP75NF75-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.10
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
IRLMS1902TR
MOSFET N-CH 20V 3.2A MICRO6
IXTH150N17T
MOSFET N-CH 175V 150A TO247
IRF6623TR1
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
IRLL2705PBF
MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223